三星申请半导体装置专利

2023年12月19日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117255559A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，一种半导体装置包括：下部结构、在下部结构上彼此间隔开的第一电极、第一电极上的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。每个第一电极包括第一元素、第二元素和氮(N)。包括第一元素的第一氮化物材料的刚度高于包括第二元素的第二氮化物材料的刚度。每个第一电极包括这样的区域：第一元素在该区域中的浓度与第二元素在该区域中的浓度之比在远离每个第一电极的侧表面的水平方向上减小。

(关键字：半导体)