意法半导体成功制造出8寸碳化硅晶圆

自从芯片被发明出来后,短短几十年就成为了全球科技产业的基础,小小的一颗芯片,牵动着全球的神经,特别是在近两年,表现更为突出。

而芯片发展到现在,也经历了所谓的三代,其中硅基芯片是第一代半导体,而GaAs、InP等认为是第二代半导体材料,而将Sic、GaN等认为是第三代半导体材料。

虽然目前硅基芯片依然占了全球芯片产业的90%以上,但并不妨碍大家研究发展更多的芯片材料,毕竟寻找到一种可替代硅的新材料,就有可能改变全球的芯片产业格局。

而随着电动汽车、5G等技术的到来,大家认为第三代半导体材料为基础的芯片产业,应该能够得到大大的发展,所以全球都在研究第三代半导体材料,比如SiC、GaN等。

目前GaN的应用比较多了,特别是在充电技术领域,比如电动车、甚至手机快速充电器领域,都应用了GaN技术。

而昨天,“意法半导体中国”官方微信宣布,意法半导体(简称“ST”)瑞典北雪平工厂成功制造出了,全球第一批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片,这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

SiC材料不像硅,制造是比较难的,一方面是因为它太硬了,碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之间,仅仅比金刚石的硬度低0.5左右。另外一方面比较脆,所以制造成大的晶圆是比较困难的,加工门槛非常高。

但SiC半导体具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,主要应用于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域。

目前在SiC晶圆这一块,排在第一位的Cree差不多占了60%的市场,其次是美国II-VI公司,市场份额约为16%,现在ST能够制造出8寸的SiC晶圆时,代表着其在第三代半导体技术上,也达到了全球领先的地步,或将改变全球SiC的产业格局。

但从另外一方面来看,那就是我们真的要加油了,第一代半导体我们是比较落后了,第二代半导体也没能领先,现在第三代可不能再落后了。

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